Navitas将在苏州建立氮化镓（GaN）单晶衬底研发基地

根据苏州工业园区的公告，1月24日，苏州纳维科技有限公司（以下简称“苏州纳维技术”）在园区总部大楼举行了奠基仪式。该项目位于苏州纳米城，总土地面积14000平方米，总建筑面积约34000平方米。
它将建设氮化镓（GaN）单晶衬底研发基地和高端产品生产基地。预计每年将生产氮化镓单晶。
50,000个基板和外延晶片。根据数据，苏州纳维达斯技术有限公司成立于2007年5月，致力于氮化镓（GaN）单晶衬底的工业开发，氮化镓（GaN）单晶衬底是第三代半导体行业的核心关键材料。
据介绍，苏州纳威科技已完成材料生长设备的自主研发，用于氮化镓单晶衬底的开发和产业化，是首家实现2英寸氮化镓单晶衬底和完整4英寸衬底的生产的公司。产品。
工程技术的发展突破了6英寸产品的核心技术，可以同时批量提供2英寸高电导率，半绝缘氮化镓单晶。苏州纳维科技有限公司董事长徐克表示，总部大楼将专注于苏州纳维科技的生产，研发和其他需求，这标志着公司在营销，生产和研发方面的全力以赴。