充电器和快速充电器的同步整流器控制器分析

在生活中，您可能接触过各种电子产品，然后您可能不知道其某些组件，例如其中可能包含的同步整流器控制器，然后让编辑人员带领所有人学习同步整流。控制器。
意法半导体（ST）推出了用于反激式转换器的次级侧同步整流（SR）芯片SRK1000A和SRK1000B，具有高能效和低功耗的特点。现在，该产品系列增加了一种更具成本效益的小包装产品，可用于为适配器，快速充电器，适配器和USB PD端口充电。
STMicroelectronicsSRK1001次级侧同步整流控制器引入了自适应功能，可以降低材料清单的成本，最小化电路尺寸并简化基于反激式拓扑的电源适配器，充电器，USB电源插座和照明电源的设计。这两款器件均采用最小延迟快速导通设计和创新的自适应关断技术，可在不增加外部元件的情况下最大化同步整流器MOSFET的导通时间，并最大程度地减小电路中的寄生电感效应，从而降低能耗。
大大提高了电路系统的效率，并显着降低了材料清单的成本。 SRK1001设计为以最小的延迟快速导通，并引入了创新的自适应关断逻辑，该逻辑使同步整流MOSFET的导通时间最大化，从而以最小的开关损耗实现最佳效率。
与市场上的其他控制器不同，SRK1001的先进设计消除了寄生电感效应，而无需外部补偿电路。 SRK1000A和SRK1000B产品均可用于各种反激控制器，包括准谐振（QR）和固定频率高达300kHz的CCM / DCM混合模式反激拓扑，从而简化了系统设计。
两种器件都可以通过选择电阻来设置开启后的消隐时间（TON），以防止噪声引起杂散问题。 SRK1000A关闭（TOFF）后的消隐时间固定为2μs，而SRK1000B的消隐时间为3μs。
SRK1001还确保了在轻负载时出色的转换器效率，而同步整流不再是有益的。当MOSFET导通周期达到编程的最小导通时间或检测到主控制器的突发模式操作时，器件将自动进入低功耗模式。
该模式下的静态电流仅为160µA。两种器件均具有轻载低功耗省电模式。
当不再需要同步整流时，控制器进入低功耗睡眠模式。实现方法是检测初级侧控制器是否进入突发模式，或者同步整流MOSFET的导通时间是否小于TON的最小预设值。
低功耗模式下控制器的静态电流仅为160μA。多功能性是SRK1001的另一个优势，可用于准谐振（QR）转换器和混合连续/不连续电流模式（CCM / DCM）固定频率操作，频率最高可达300kHz。
它在打开和关闭后具有可编程的消隐时间，以确保可靠性并防止噪声引起的杂散行为。 SRK1000A和SRK1000B适用于高达19V的输出电压。
在CCM模式下，稳定的输出可以保持在2V。它支持4.5V-32V宽电压电源，其漏源电压额定为100V。
输出灌电流高达1A，源电流高达0.6A，用于控制外部N沟道同步整流MOSFET的栅极。相信通过阅读以上内容，每个人都对同步整流器控制器有了初步的了解，希望大家在学习过程中进行总结，以不断提高他们的设计水平。