您是否知道可提高功率密度和效率的共漏极双N沟道60 V MOSFET？有什么特点？ 2019年12月11日-几天前，Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所股票代码：VSH）宣布推出Small Thermal Thermal Enhanced PowerPAK＆reg ;. 1212-8SCD封装的新型共漏极双N沟道60 V MOSFET --- SiSF20DN。 Vishay Siliconix SiSF20DN是业界最低的RS-S（ON）60 V公共漏极器件，专门用于提高电池管理系统，串联和无线充电器，DC / DC转换器以及电源。日前发布的双芯片MOSFET的RS-S（ON）在10V电压下低至10m。它是3mm x 3mm封装中最低的导通电阻60 V器件，并且比该封装尺寸中排名第二的产品低42.5％。 ，比Vishay的上一代设备低89％。从而减少了电源通道的电压降，降低了功耗并提高了效率。为了提高功率密度，SiSF20DN的RS1S2（ON）的面积乘积比第二级的MOSFET低46.6％，甚至包括6mm x 5mm的更大封装解决方案。为了节省PCB空间，减少元件数量并简化设计，该器件采用了优化的封装结构，并且两个单片集成的TrenchFET＆reg;第四代n沟道MOSFET采用公共漏极配置。 SiSF20DN源触点并排布置，与传统的双封装器件相比，增加了连接以增加PCB接触面积，并进一步降低了电阻率。这种设计使MOSFET适用于24 V系统和工业应用中的双向开关，包括工厂自动化，电动工具，无人机，电动机驱动器，白色家电，机器人，安全/监视和烟雾报警器。 SiSF20DN已通过Rg和UIS的100％测试，符合RoHS要求且不含卤素。以上是对共漏极双N沟道60 V MOSFET的分析，以提高功率密度和效率。希望能给您参考。