NV-SRAM模块不仅可以快速可靠地存储数据，而且在封装技术上也很有竞争力。这些设备适用于需要安全数据存储且几乎不需要现场维护的场合。因此它将比较擦除64Kb数据和写入新数据所需的时间。最后，必须了解，在功耗方面，制造商并未使用一致的标准。某些设备可能被指定在Vcc = 1.8V下工作，但数据手册提供了Vcc = 2.5V。此处使用的值是数据表中指定的最坏情况值。擦除页面/扇区时，串行数据闪存需要消耗大量能量，因为这些操作需要很长时间。 EEPROM和闪存使用轮询技术，而不是等待最坏情况下的时间来完成操作，从而降低了两者的能源需求。数据手册没有清楚显示写/擦除周期结束时消耗的电流是自动逐渐减小还是继续。非易失性NV-SRAM通常用于维护时间尽可能短，读取/写入操作频繁且数据保留速度至关重要的系统中。一个例子是数控铣床。假设在进行铣削操作时突然关闭了电源。出于安全原因，需要撤出钻头并将其停放在安全的位置。开机后，机器必须记住停止工作的地方。使用NV-SRAM模块，该任务非常容易实现。所选的保留时间应等于或大于在EEPROM中存储程序信息所需的时间。在将数据写入EEPROM之前，仍然需要SRAM作为数据缓冲区。使用此方案，附加组件的成本通常会超过NV-SRAM模块的成本，并且可靠性很低。在防篡改应用中，尤其是在PoS终端中，数据记录非常重要。如今的智能终端可以确认付款交易，而无需耗时的远程服务器验证。由于安全数据存储在终端内部，因此它完全取决于单芯片BGA模块。安全微控制器可以将密钥存储在“安全区”中。在IC内部。但是，仍然需要采取一些其他措施来防止存储在微控制器外部SRAM中的加密数据被读取和解码。当前可用的保护措施还不足以应对那些狡猾的黑客。针对此问题，也有一些解决方案。例如，NaxiDallasSermconductor已推出了定制的BA模块，其中包括安全的微控制器，SRAM篡改检测电路以及定时和控制功能。 q