薄膜电阻器是一种常见的电阻器。通常，薄膜电阻的制造方法通常包括绝缘基板，在绝缘基板上通过非光刻法形成导体图案层，在导体图案层和绝缘基板上形成薄膜电阻层；通过光刻对薄膜电阻层进行图案化。这种薄膜电阻制造方法可以降低薄膜电阻的制造成本，但目前很多薄膜电阻选择负蚀刻法，越来越流行。
“负极板蚀刻法”常用于薄膜电阻的制造。在制作过程中，首先进行光刻和腐蚀，得到电极和电阻的整体图形，然后用嵌套电阻掩膜作为光刻和腐蚀的选择性掩膜，得到电阻图形。这种方法最大的问题是注册窗口窄。由于“对准标记”仅限于特定结构，通常是陶瓷片的边缘部分，因此不能保证在任何地方注册。配准会受到镜片异常、陶瓷片夹持异常、掩膜图案错位、陶瓷片本身变形等影响。
因此，对于采用负蚀刻法制造薄膜电阻器，一般将嵌套掩模上的“对准标记”与上层微结构图形对齐，然后观察两者上的图形是否对齐。如有错位，进行微调，待图形完全套准后进行曝光等后续工作。这种方法使用的掩膜为负片，即掩膜大部分是遮光区，只有一小部分是透明的。掩膜上的大面积阴影区域使得微观结构图形的边界不够清晰，图形配准操作相对困难，容易发生图形配准错位，配准时间相应较长。
使用普通的接触式或接近式光刻机来套接电阻时，一旦图案未对齐，就会引起连锁反应，导致电阻图案腐蚀错位。轻的话会使阻值偏差很大，重的话会导致微波电路图形的破坏，直接影响产品的良率。因此，一般在镜检时发现套刻错位时采用及时返工，但既费力又浪费，生产效率不高。
由上可见，薄膜电阻的制作方法非常重要。如果采用不正确的生产方法，得到的薄膜电阻无论是精度还是生产成本都有很大差异。此外，薄膜电阻的制造是混合微波集成电路工艺生产的重要组成部分。其制备方法的优劣在很大程度上决定了微波集成电路的生产效率和良率。
