BJT由两个夹在P型半导体之间的N型半导体组成。
在发射极区和基极区之间形成的PN结称为发射极结，在集电极区和基极区之间形成的PN结称为集电极结。
三个引线分别称为发射极e，基极b和集电极。
当点b的电位高于点e的电位几伏时，发射极结处于正向偏压状态，当点C的电位高于点b的电位时，集电极结处于反向偏置状态，集电极电源Ec高于基极。
极端电源Ebo。
在BJT的制造中，有意识地使发射极区域的多数载流子浓度大于基极区域，并且使基极区域变薄，并且严格控制杂质含量，以便一旦接通电源，由于发射极结是正确的，发射极区的多数载流子（电子）基极区的多数载流子（控制点）很容易在发射结构上截取并相互扩散，但由于前者的浓度基数大于后者，电流基本上是电子流，称为发射极电流Ie。
由于基极区域较薄且集电极结的反向偏压，注入基极区的大部分电子通过集电极结并进入集电极区形成集电极电流Ic，仅留下少量（1-10） [％]基极区域中的电子重新组合，并且基极电源Eb补充重新组合的基极孔，从而根据电流连续性原理形成基极电流Ibo：Ie = Ib + Ic也就是说，通过向基极添加一个小Ib，可以在集电极上获得更大的Ic。
这称为电流放大，Ic和Ib保持一定的比例关系，即：β1= Ic / Ib其中：β - 称为DC放大，集电极电流ΔIc的变化与基极电流ΔIb的变化之比为：β=△Ic /△Ib其中β - 称为交流电流放大倍数，因为β1和β的值不是在低频时有时会有很大不同为方便起见，两者没有严格区分，β值约为几十到一百以上。
作为电流放大器元件，BJT经常在实际使用中使用其电流放大将其转换为电压放大效应。
第一点接触晶体管诞生于1947.12.23 - 贝尔实验室。
（Bardeen，Shockley，Brattain）1949年，提出了PN结和双极结晶体管的理论 - 贝尔实验室。
（Shockley）第一个结是在1951年制造的。
类型晶体管 - 贝尔实验室。
（Shockley）1956年，制造了第一个硅结晶体管--Midea Instruments（TI）Bardene，Shockley，Brattain在1956年获得诺贝尔奖。
第一个结是1956年在中国制造的。
晶体管 - （吉林大学高丁山）1970年硅平面工艺成熟，双极结型晶体管大规模生产。
1）通过低电阻N型硅制备衬底，电阻率在附近，并且切割（111）表面。
厚度较厚的圆盘，抛光至与镜子一样明亮的表面。
2）外延层为N型，其电阻率和厚度根据电参数确定。
3）在高温下氧化和生长的氧化层用于阻止诸如硼和磷的杂质扩散到硅中，并且还用作表面钝化。
4）光刻硼扩散窗口5）在硼扩散和二次氧化硼扩散之后，在外延层上形成P型区域，并且热生长的氧化物层用于阻止磷扩散到硅中并且钝化。
6）光刻磷扩散窗口7）磷扩散和磷的第三次氧化扩散后，P型区域的磷杂质补偿硼形成N +区域，热氧化层起到电绝缘介质的作用。
金属和硅晶片。
8）光刻发射极和基极接触孔9）蒸发铝10）光刻图案化铝上的电极图案：当施加到BJT发射极结的电压小于PN结的导通电压时，基极电流为零。
集电极电流和发射极电流均为零，BJT此时失去电流放大，集电极和发射极等效于开关的关断状态。
我们称BJT处于关闭状态。
放大状态：当施加到BJT发射极结的电压大于PN结的导通电压并且处于适当的值时，BJT的发射极结正向偏置，并且集电极结反向偏置。
集电极电流起控制作用，使得BJT具有电流放大效应，并且其电流放大因子β=ΔIc/ΔIb，此时BJT处于放大状态。
饱和导通状态：当施加到BJT发射极结的电压大于PN结的导通电压时，并且当基极电流增加到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增加而增加。
但是，它在一定值附近变化不大。
此时，BJT失去电流放大，集电极和发射极之间的电压很小，集电极和发射极相当于开关的导通状态。
这种BJT状态称为饱和导通状态。
根据BJT操作期间每个电极的电位，可以区分BJT的工作状态。
因此，在维护过程中，电子维护人员经常需要用万用表测量BJT每个支路的电压，从而判断BJT的工作状态和工作状态。
