闪存芯片分为SLC，MLC和TLC芯片三种类型。
什么是SLC SLC英文全称（SingleLevelCell-SLC）是单层存储。
主要用于三星，海力士，美光，东芝等.SLC技术的特点是浮栅和源极中的氧化膜较薄，通过向浮栅电荷施加电压来去除存储的电荷。
在写入数据时，然后通过源。
以这种方式，可以存储一个信息单元。
该技术可以提供快速的程序编程和读取。
然而，该技术受到硅效率问题的限制，必须通过更先进的工艺改进来加工。
为了改进SLC工艺技术。
MLC MLC（MultiLevelCell - MLC）的全称是多层存储。
主要用于东芝，瑞萨，三星。
英特尔于1997年9月首次开发了MLC。
它的作用是将两个信息单元存储在浮动门（闪存单元中存储电荷的部分）中，然后使用不同的电位。
通过存储在存储器中的电压控制进行精确的读写。
MLC使用大量电压电平，每个单元存储两位数据，并且数据密度相对较大。
SLC体系结构有两个值0和1，MLC体系结构一次可以存储四个以上的值。
因此，MLC架构可以具有更好的存储密度。
与SLC相比，MLC的优势主要基于SLC和MLC存储。
我们对SLC和MLC存储有更多了解，并且可以使用旧的生产工艺来增加产品的容量，而无需在生产设备上进行额外投资。
产量的好处。
与SLC相比，MLC具有更低的生产成本和更大的容量。
如果改进，MLC的读写性能应进一步提高。
与SLC MLC架构相比，MLC的缺点有许多缺点。
首先，使用寿命很短，SLC架构可以写入100,000次，而MLC架构只能承受大约10,000次写入。
其次，访问速度很慢。
在目前的技术条件下，MLC芯片的理论速度只能达到6MB左右。
SLC架构比MLC架构快三倍以上。
此外，在相同的使用条件下，MLC比SLC消耗更多的能量并且比SLC消耗大约15％的电流。
尽管MLC与SLC相比具有许多缺点，但MLC在单芯片容量方面仍具有绝对优势。
由于MLC架构的绝对优势和成本，它可以满足2GB，4GB，8GB甚至更大容量的市场需求。
U盘中使用的SLC，MLC和TLC闪存芯片之间的区别是SLC = Single-LevelCell，即1bit / cell。
它速度快，寿命长，价格非常昂贵（约为MLC价格的3倍）。
大约100,000个擦除寿命MLC = Multi-LevelCell，即2bit / cell，速度一般为life，平均价格为3000 --- 10,000擦除寿命TLC = Trinary-LevelCell，即3bit / cell，还有闪存厂家称为8LC，速度慢，寿命短，价格便宜，擦除寿命约500，没有厂家可以做1000次。
目前，安德森科技公司生产的指纹U盘产品中使用的闪存芯片是三星MLC的原装A级芯片。
读写速度：H2testwv1.4测试，三星MLC写入速度：4.28-5.59MByte / s，读取速度：12.2-12.9MByte / s。
三星SLC写入速度：8.5MByte / s，读取速度：14.3MByte / s。
要描述的闪存的寿命是指写入（擦除）的次数，而不是读取的次数，因为读取对芯片的寿命几乎没有影响。
SLC，MLC，TLC三代闪存寿命差SLC采用正负两电荷浮栅来存储1位信息，大约有100,000个擦除寿命。
MLC使用不同电位的电荷，浮动栅极存储2位信息，大约10,000次擦除寿命，SLC-MLC [双倍容量，寿命缩短为1/10]。
TLC使用不同电位的电荷，一个浮动门存储3位信息，大约500-1000个擦除寿命，MLC-TLC [容量大1/2倍，寿命缩短到1/20]。
闪存产品的使用寿命越来越短。
现在市场上有TLC闪存制造的产品。
鉴于SLC与MLC或TLC闪存之间的巨大差异，数字产品制造商需要使用闪存在其产品上指示SLC和MLC。
TLC闪存产品很多人都不清楚闪存的SLC和MLC。
以目前流行的MP3播放器为例，是购买SLC还是MLC闪存芯片？首先让我告诉您，如果您对容量要求较低，但对机器质量，数据安全性和机器寿命有很高要求，那么SLC闪存芯片是首选。
然而，大容量SLC闪存芯片的成本远高于MLC闪存芯片。
因此，大多数2G以上的大容量和低价MP3都使用MLC闪存芯片。
大容量，低价位的MLC闪存自然受到每个人的青睐，但必须考虑其固有的缺点。
