在消费处理器领域,AMD现在完全领先于英特尔。许多网友认为,英特尔落后的原因是它沾沾自喜,坚持其14nm和10nm工艺,并且始终不愿接受该代工厂的7nm / 5nm工艺。
老对手AMD早期采用了台积电的7nm工艺,晶体管的集成度得到了改善,性能和能耗比也得到了极大的提高。最近,根据Drivehome的一份报告,半导体行业内部人士表示,英特尔已将其南桥芯片组的生产外包给三星,而GPU芯片则委托给台积电的代工生产,该代工厂将使用台积电的4nm工艺。
近年来,英特尔的销售份额持续下降。为了增加市场份额,英特尔于1月13日任命Pat Gelsinger为新任首席执行官。
帕特·基辛格(Pat Kissinger)于18岁加入英特尔,并在英特尔工作了30年。后来,他离开了存储巨头EMC的首席运营官和VMware的首席执行官,并连续三次实现VMware的收入。
时间。帕特·基辛格(Pat Kissinger)现在被许多人称为英特尔的救星。
回国后,英特尔的股价上涨了约7%。关于铸造厂的采用,帕特·基辛格(Pat Kissinger)在财报电话会议上说:我对7纳米项目的恢复和进展感到高兴。
我相信,到2023年,我们的大多数产品都将在内部制造。同时,考虑到产品组合的广度,我们也有可能在某些产品技术中扩大使用外部芯片代工厂。
工艺改进可以增加晶体管的密度。根据英特尔的芯片设计能力,它可能会导致功能更强大的CPU和GPU设备。
但是,可以看出,英特尔仍然希望提高自己项目的技术水平,而代工只是一个临时选择。对于消费者而言,自然希望英特尔能够推出功能更强大的芯片。
英特尔曾经被称为“恶龙”。在处理器字段中。
现在,AMD占据了优势,产品价格也在上涨。英特尔落后了。
许多消费者担心AMD将成为新的“恶龙”。没有竞争。
英特尔和AMD竞争激烈,消费者可以获得更多好处。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: momo@jepsun.com
产品经理: 李经理
QQ: 2215069954
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
- 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
- N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
- N+P互补对MOS管30V技术解析:结构、特性与应用优势 N+P互补对MOS管30V的基本原理在现代模拟与数字集成电路设计中,N+P互补对MOS管(即NMOS与PMOS构成的互补结构)是核心构建单元之一。其中,30V耐压等级的互补对MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件通过在...
- N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与优势分析 引言在现代电子系统中,尤其是工业控制、汽车电子和高电压电源管理领域,8V至29V的宽电压范围供电需求日益增长。N+P互补对MOS管(即N沟道与P沟道MOSFET组成的互补结构)因其优异的开关性能和高可靠性,成为该电压区间内核心...
- N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
- P沟道与N沟道MOS管在8V至29V电压范围内的应用对比分析 P沟道与N沟道MOS管概述在现代电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高输入阻抗、低功耗和快速开关特性而被广泛应用。根据导电类型的不同,MOS管可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)在栅...
- P沟道与N沟道MOS管在31V至99V高压应用中的性能对比分析 引言在现代电力电子系统中,尤其是高压开关电源、工业控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域,31V至99V范围内的MOS管选型至关重要。其中,P沟道与N沟道MOS管因其不同的工作原理和特性,在该电压区间内各有优势与适用...
- N沟道MOS管工作原理及应用 N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常见的场效应晶体管,其工作基于电场效应来控制电流。这种类型的晶体管在现代电子设备中有着广泛的应用,从消费电子产品到工业控制系统,乃至最新的计算机芯片技...
- 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
- PH3-M瞬态抑制二极管插件TVS管 聚鼎产品特性与应用 关于聚鼎PH3-M瞬态抑制二极管插件TVS管,这是一种高效能的保护器件,广泛应用于各种电子设备中,以防止静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)以及雷击等引起的电压瞬变对电路造成损害。PH3-M系列具有低箝位电压、高能量吸收...
- JMV-N积层压敏电阻的应用与特性详解 积层压敏电阻(Multilayer Varistor, MLV),特别是型号为JMV-N的产品,在电子设备中扮演着重要的角色,主要用于过电压保护。这类器件以其小巧的体积、高效的保护性能和良好的热稳定性而受到广泛欢迎。下面将详细介绍JMV-N积层压...
- ALPS编码器在现代工程应用中的优势与特点 ALPS编码器作为一种高精度、高性能的旋转编码器,在现代工程领域中扮演着重要的角色。其优势和特点主要体现在以下几个方面:1. 高精度与可靠性:ALPS编码器以其卓越的精度和可靠性著称,能够在各种恶劣的工作环境下保持稳...
- OMLON接近开关E2E-X2D1-N-Z: 原装正品,现货供应 OMLON品牌的接近开关E2E-X2D1-N-Z是一款高质量、高精度的检测设备。这款产品以其卓越的性能和可靠性,在各种工业自动化领域得到了广泛的应用。原装正品保证了其优秀的品质与稳定性,能够满足用户对于精确度和耐用性的高标准...
- N沟道MOS管100V+与30V应用对比:性能、选型与电路设计解析 N沟道MOS管100V+与30V的性能差异分析在现代电子系统中,N沟道MOS管因其高效率、快速开关特性而被广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等场景。根据耐压等级的不同,可将N沟道MOS管分为100V+和30V两大类,其应用场景和技术参...
- PTTC聚鼎PG28E-M气体放电管参数及应用领域 气体放电管(Gas Discharge Tube, GDT)是一种广泛应用于电信系统中的过电压保护设备。PTTC聚鼎PG28E-M气体放电管是该领域中的一款优秀产品,以其卓越的性能和可靠性受到众多工程师和技术人员的青睐。这款气体放电管主要应用于通...
- 深入理解石英晶体振荡器原理及其在现代电子系统中的作用 石英晶体振荡器的核心工作原理石英晶体振荡器(CXO)是现代电子系统中不可或缺的关键组件,其稳定可靠的频率输出保障了数据传输、时序控制和同步操作的准确性。其工作原理可归结为以下几个方面:1. 石英晶体的物理特性...
- N沟道30V MOS管在电源管理中的应用与优势解析 N沟道30V MOS管的核心特性与应用场景在现代电子系统中,尤其是便携式设备、智能电源管理模块和工业控制领域,N沟道30V MOS管因其出色的电压耐受能力与低导通电阻特性而备受青睐。其额定电压高达30V,能够有效应对多种电源波...
- 将电阻器与LED一起使用 一旦将电流施加到部件,发光二极管或LED将点亮。串联的电阻器和LED可以视为简单电路。为什么要使用带LED的电阻器?电阻器可用于电流限制。该电阻器称为镇流器电阻器。如果提供的电压等于LED电压,则不需要电阻。如果超过...
- 如何正确选型与使用分流芯片电阻?技术指南 分流芯片电阻的选型与工程实践建议正确选用分流芯片电阻不仅关乎测量精度,更直接影响整个系统的稳定性与安全性。以下是基于实际工程经验的详细指南。1. 明确应用需求首先确定待测电流范围、采样频率及环境温度。例如...