Apple M1处理器进一步优化!超大型iPhone首次亮相

众所周知,Apple m1的处理器性能是上一代4核版本的三倍。前一代Mac mini四核是i3 8100,性能是其三倍。
昨天,苹果公司发布了正式版的macOS Big Sur 11.1,该系统针对M1处理器进行了优化。现在,一些开发人员已经说过,macOS Big Sur 11.1更新的发行说明中提到的另一个值得注意的变化是,在具有M1芯片的Mac上,无法调整窗口大小的iPhone和iPad应用程序可以选择直接进入全屏模式。
,这使得相似的设备立即转变为超大尺寸的iPhone。此外,在改善性能和兼容性的同时,它还可以更好地适应其运行的iOS应用程序的状态。
Reddit上的用户已经确认,全屏模式也可以在XCOM和Tropico等游戏中按预期运行,这对于Mac上的游戏用户而言无疑是个好消息。苹果使用基于ARM的M1处理器发布了MacBook。
其惊人的能源效率以及与移动平台的深度集成给人们留下了深刻的印象。 M1处理器打破了许多人的ARM性能较弱的内在印象,并且macOS和M1的兼容性更加惊人。
ARM处理器M1通过macOS 11中的Rosetta 2转换层运行X86软件。事实证明,它比本机运行X86软件的英特尔高端处理器要快!它的M1处理器芯片基于ARM许可的体系结构,但是苹果公​​司创建了自己的芯片。
这消除了指令集和最终产品之间链中的几个链接。 Apple不需要购买现成的芯片,然后设计适合它的产品,但是可以从一开始就设计所需的芯片。
指令集仍然是通用的,但是我们知道这无关紧要。客户仍然不在乎,Apple擅长换出ISA并弥补差额。
根据评论。苹果公司的新款MacBook Air和其他基于M1的产品具有与基于x86的产品相同的性能,这本身就非常出色。
性能,功效,甚至软件兼容性都广受好评。粉丝们不可避免地预言了处理器革命和新的王者。
可能是。但是,Apple的真正创新在于回归基础。
M1是一个很好的产品,但不是特别具有革命性。它仅为其预期用途而设计。
苹果公司没有像所有竞争对手都能共享的大众市场处理器那样努力工作,而是创造了它想要的东西。总线,高速缓存,指令混合,协处理器,辅助硬件协助。
他们在设计时考虑了最终产品。作为最强大的自主研发芯片,M1芯片自然融合了当前苹果最强大的技术,采用5纳米工艺技术,从CPU,GPU,神经引擎到Apple T2芯片,多达160亿个晶体管,Apple SoC的全新设计是呈现在我们眼前。
CPU部件采用4 + 4尺寸的内核设计。苹果公司比较了最新的PC处理器。
功耗为10W时的性能已达到“老友记”性能的两倍,而功耗仅为同等性能Intel芯片的四分之一。 GPU还设计有8个内核。
当功耗为10W时,它的性能也是“ friends”的两倍,并且在相同性能下的功耗为1/3。如果那是未来的趋势,那就来吧。
我全力以赴进行高效的设计。不是每个人都适合。
也许在不久的将来,苹果处理器的时代将会到来!相信每个人都非常关注,您对此有何进一步看法?欢迎留言讨论!

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: momo@jepsun.com

产品经理: 李经理

QQ: 2215069954

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
  • 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
  • N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
  • 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
  • P沟道MOS管工作原理及应用 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-MOSFET)是一种常用的电子器件,广泛应用于各种电子电路中。其工作原理基于电压控制电流的特性,与N沟道MOS管相比,P沟道MOS管在结构和工作方式上有一些显著的区别。### 工作原理P沟道...
  • 德国P+F接近开关:工业自动化中的关键组件 德国P+F接近开关是工业自动化领域中不可或缺的一部分,它们被广泛应用于各种机械设备和生产线上,以实现非接触式的物体检测。这种传感器通过电磁场或射频技术来识别目标物体,无需与物体直接接触即可检测其存在与否,...
  • 德国福P+F接近开关:自动化控制领域的高效解决方案 德国福P+F公司是世界著名的传感器制造商之一,其生产的接近开关在自动化控制领域拥有极高的声誉。福P+F接近开关采用先进的传感技术,能够在无需物理接触的情况下检测到目标物体的存在,这不仅减少了机械磨损,还大大提...
  • 德国P+F电感式接近开关:工业自动化的关键组件 德国P+F(*福)是一家在传感器技术和自动化领域享有盛誉的公司。其电感式接近开关作为产品线中的重要一员,在工业自动化控制领域扮演着关键角色。这种类型的接近开关利用电磁感应原理来检测金属物体的存在与否,无需与目...
  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • P沟道MOS管100V参数及应用领域 在电力电子和模拟电路设计中,P沟道MOS管是一种非常重要的半导体器件,尤其适用于高压环境下的应用。P沟道MOS管100V型号意味着其能够承受的最大电压为100伏特,这使得它在许多需要高电压切换或调节的应用中表现出色。接下...
  • P沟道MOS管30V参数及应用实例 在电子工程领域中,P沟道MOS管因其独特的电气特性而被广泛应用于各种电路设计中。其中,电压等级达到30V的P沟道MOS管更是因其出色的性能,在高压应用场合中扮演着重要角色。下面将详细介绍这种器件的主要参数及其典型应用...
  • 气压开关三P-10:功能、应用及重要性 在细致探讨气压开关三P-10的功能与应用之前,我们先来了解其基本构造。气压开关三P-10是一种精密设备,主要用于监控和控制气压系统中的压力变化。这种开关的设计目的是为了确保机械设备的安全运行,通过检测压力的变化来...
  • P沟道MOS管电压范围从31V到99V的应用与选择 在电力电子和电源管理领域,P沟道MOS管因其高效能和低损耗特性而被广泛应用。对于需要处理较高电压的应用场景,比如某些直流-直流转换器、电机驱动系统或电池管理系统等,选择合适的P沟道MOS管显得尤为重要。针对您提到...
  • P沟道MOS管工作电压范围8V到29V的应用与选择 在电子工程领域,特别是在设计高压电源转换器、电机驱动器和逆变器时,正确选择合适的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)至关重要。P沟道MOS管以其高输入阻抗、低导通电阻以及快速开关速度等特性,在低压至中压...
  • 高精密贴片电阻阻值表标准阻值表E-96 0603F(+1%) Standard Resistance Table 标准阻值表1 E-96 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 10 01X 100 01A 1.00K 01B 10.0K 01C 100K 01D 1M 01E 10.2 02X 102 02A 1.02K 02B 10.2K 02C 102K 02D 10.5 03X 105 03A 1.05K 03B 10.5K 03C 105K 03D 10.7 04X 107 04A 1.07K 04B 10.7K 04C 107K 04D 11 05...
  • JMV-E积层压敏电阻技术参数与应用领域详解 积层压敏电阻(JMV-E)是一种广泛应用于电子设备中的关键保护元件,其主要功能是为电路提供过电压保护,防止瞬态电压对敏感电子元件造成损害。在现代电子产品中,瞬态电压可能来源于雷击、电源波动或电路开关等现象,这...
  • 新投运电容器组应进行几次合闸冲击试验 在交流电路中,如果电容器再次充电并闭合,电容器可能承受两倍以上的额定电压(峰值),这对电容器有害。同时还会产生较大的冲击电流,导致熔体熔断或断路器跳闸。因此,电容器组必须在每次打开后放电,然后在电荷消失后...
  • 超级电容器与二次电池区别 &nbsp; 超级电容器,也称为电化学电容器,是一种介于传统电容器和二次电池之间的新型储能装置。主要依靠双层和氧化还原赝电容器储能,具有大容量储能和大功率放电的特点。&nbsp; 与传统电容器相比,超级电容器具有更...
  • 绕线型功率电感器-MLP(H)系列 特征通过材料特性和结构设计实现高饱和电流。低直流电阻,实现高转换效率和更低的温升。磁屏蔽结构可实现高分辨率的 EMC 保护。无卤素、无铅、符合 RoHS。应用智能手机、PAD薄型电源模块DC-DC 转换器...
  • AC-DC转换器中的二次侧PSR加速器工作原理 在现代电子设备中,AC-DC转换器是不可或缺的一部分,它负责将交流电(AC)转换为直流电(DC),以满足各种电子设备的需求。而二次侧PSR(Power Supply Rejection)加速器则是提高转换效率和稳定性的关键技术之一。PSR加速器主要用...