美国透明市场研究公司最近发布的一份研究报告指出，2012年氮化镓半导体器件的市场产值为3.792亿美元，到2019年将达到220.73亿美元。
其中，军事防御和航空航天领域占据了氮化镓半导体市场的最高份额。
报告指出，2013年至2019年的复合年增长率也将达到24.6％。
美国占据全球氮化镓器件市场的最大份额，2012年达到32.1％，其次是欧洲，亚洲和世界其他地区。
由于电子工业的快速增长，亚洲将成为氮化镓半导体器件市场中增长最快的地方。
2013年至2019年的复合年增长率预计将达到27.7％。
由于对高速，高温和高功率半导体器件的需求不断增长，半导体行业已经重新考虑了半导体中使用的设计和材料。
随着各种更快，更小的计算设备的不断出现，硅材料很难维持摩尔定律。
由于GaN材料的独特优势，例如出色的噪声系数，高最大电流，高击穿电压，高振荡频率等，它为军事，航空航天和国防以及汽车等各种应用提供了独特的选择。
领域，以及工业，太阳能，发电和风力发电等大功率领域。
氮化镓的能量效率比硅高，因此所需的散热器数量少于硅。
应用领域的扩大和军事需求的增加是推动氮化镓半导体器件市场增长的主要力量。
需求的增长主要归因于GaN器件可以带来的器件重量和尺寸的显着改善。
另外，预期氮化镓器件的击穿电压的增加将促进氮化镓在电动车辆中的使用。
2012年，由于氮化镓光电半导体在军事，航空航天，国防和消费电子领域的使用，光电半导体成为全球氮化镓半导体器件市场的主要产品类型，占市场的96.6％。
其中，随着工业应用中对高功率器件的需求不断增长，功率半导体器件将成为未来增长最快的器件。
在各种应用中，军事，国防和航空航天领域占氮化镓半导体市场的最大份额，2012年达到8168万美元。
消费电子是第二大应用领域，其次是信息和通信技术（ICT），汽车应用。
随着4G网络的发展，对大功率晶体管和基站的需求有望增加。
因此，ICT行业对氮化镓功率半导体的需求将以最快的速度增长。
全球光子集成电路市场呈现出碎片化和激烈的竞争。
主要行业参与者包括日本的富士通（Fujitsu），日亚化学工业有限公司，加拿大的氮化镓系统（GaN System），美国的飞思卡尔半导体，国际整流器（IR），Cree，RF Microsystems等。
。
相关阅读氮化镓具有降低成本的巨大潜力。
首先，在碳化镓方面，IMS Research指出，该产品的主要市场是电源，太阳能逆变器，工业电机等。
此外，法国Yole预测2012年氮化镓功率器件的销售额将达到1000万美元。
2012年初将成为GaN功率元件市场快速起飞的转折点，2013年整体市场产值将达到5000万。
美元的规模已迅速增加到2005年的3.5亿美元。
2015.氮化镓是一种宽能隙材料，可以提供与碳化硅（SiC）类似的性能优势，但降低成本的可能性更大。
业内人士认为，在未来几年中，氮化镓功率器件的成本有望降低到与硅MOSFET，IGBT和整流器相同的价格。
实际上，在过去的两年中，GaN功率器件已经取得了长足的进步。
例如，国际整流器公司推出了GaNpowIR，EPC公司推出了eGaNFET器件，Transphorm公司推出了600V GaN晶体管。
其中，国际整流器公司（International Rectifier Company）推出的GaNpowIR可以满足市场对功率MOSFET不断增长的需求。
该公司表示，GaNpowIR的FOM可以比最先进的硅石好十倍
