英飞凌发布新的650 V CoolSiC™混合IGBT单管，以进一步提高效率

[德国慕尼黑，2021年2月23日] Infineon Technologies AG发布了具有650 V关断电压的CoolSiC™混合IGBT单管。新型CoolSiC™混合IGBT结合了650 V TRENCHSTOP™5 IGBT和CoolSiC™肖特基势垒二极管的主要优点，具有出色的开关频率和更低的开关损耗，特别适用于DC-DC和功率因数校正（PFC）。
）。它的常见应用包括：电池充电基础设施，能量存储系统，光伏逆变器，不间断电源（UPS）和服务器和电信的开关电源（SMPS）。
由于IGBT的反并联SiC肖特基势垒二极管，CoolSiC混合IGBT可以大大降低开关损耗，而dv / dt和di / dt值几乎保持不变。与标准的Si二极管解决方案相比，新产品可将Eon降低60％，将Eoff降低30％。
在输出功率保持不变的情况下，还可以将开关频率提高至少40％。较高的开关频率有助于减小无源元件的尺寸，从而降低材料成本。
混合IGBT无需重新设计即可直接替代TRENCHSTOP™5 IGBT，并且每10 kHz开关频率可使效率提高0.1％。该产品系列可以用作全硅解决方案和高性能SiC MOSFET设计之间的链接。
与全硅设计相比，混合IGBT可以提高电磁兼容性和系统可靠性。由于SiC肖特基势垒二极管的单极性质，该二极管可以快速切换，而没有严重振荡和寄生传导的风险。
该系列提供TO-247-3或TO-247-4引脚的Kelvin Emitter封装，供客户选择。 Kelvin Emitter封装的第四个引脚可以实现超低电感栅极发射极控制环路，并降低总开关损耗。
供货情况CoolSiC混合IGBT单管延续了先前使用IGBT和CoolSiC肖特基势垒二极管的CoolSiC混合IGBT EasyPACK 1B和2B模块的成功经验。现在可以订购此单管产品组合。
该产品组合包括40A，50A和75A 650 V TRENCHSTOP™5超高速H5 IGBT的反并联半电流CoolSiC™第6代SiC二极管，或快速第6代反并联全电流CoolSiC™第6代SiC二极管S5 IGBT。