据报道,微软于2020年5月10日于本月初发布了2020年9月Windows Update补丁,以修复一些长期存在的错误(包括SSD碎片问题)。文件浏览器错误以及某些硬件的兼容性问题。
但是,此修复程序还引入了一个新问题:某些用户遇到“找不到元素”的问题。运行Linux Windows子系统时出错。
大量报告表明,该问题似乎主要影响运行Windows 2020年9月10日更新的设备。 Windows 10版本20H2(19042)和版本2004(19041)似乎都遇到问题,因为两个OS版本共享相同的核心组件。
IT Home了解到Microsoft已注意到此问题并正在调查,但目前还没有解决方案。微软表示:我们正在积极调查,建议用户先卸载此更新,直到解决为止。
Microsoft认为此错误的根本原因在于用户的网络问题,该公司已要求用户提供网络日志以更好地解决该问题。根据报告,卸载星期二更新补丁可以解决此问题,但不能保证系统不会在设备上再次强制执行更新。
通常,在用户手动删除修补程序之后,设备将尝试再次下载并安装更新。当前,唯一的解决方案是卸载补丁,然后单击“暂停更新”。
选项。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: momo@jepsun.com
产品经理: 李经理
QQ: 2215069954
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- 如何在Multisim 14.0中找到电阻 在使用Multisim 14.0进行电路设计和仿真时,找到并正确使用电阻元件是十分重要的。电阻作为最基本的电子元件之一,在电路中用于限制电流或分压。要在Multisim 14.0中找到电阻,请按照以下步骤操作:1. 打开Multisim软件,创建或打...
- N沟道MOS管电压范围从31V到99V的应用与选择 在电力电子和开关电源设计中,N沟道MOSFET因其低导通电阻和高速开关性能而被广泛应用。对于需要处理较高电压的应用场景,选择合适的N沟道MOSFET就显得尤为重要。您提到的31V至99V电压范围,正好覆盖了许多工业控制、电机驱动...
- 深入理解N+P互补对MOS管:从材料到性能优化策略 互补对MOS管的核心组成与工作模式N+P互补对指的是在同一芯片上集成的NMOS与PMOS晶体管,它们共同构成互补逻辑门(如CMOS反相器)。这种结构以极低的静态功耗和优异的信号完整性著称,尤其适合高密度集成电路设计。1. NMOS与PM...
- 100V N沟道MOS管参数详解:从选型到可靠性验证全指南 100V N沟道MOS管的关键参数深度解读针对31V至100V范围内的100V N沟道MOS管,其参数设计直接影响系统的性能表现。以下为关键指标的详细分析:1. 漏源击穿电压(VBR(DSS))标称值≥100V,实际测试中可达110V以上,具备充足的余量应对瞬...
- N沟道MOS管工作原理与应用解析:从基础到实际电路设计 N沟道MOS管基本结构与工作原理N沟道MOS管(N-channel MOSFET)是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的一种,其核心特点是在栅极施加正电压时,可在源极和漏极之间形成导电沟道,从而实现电流的控制。该器件由栅极(Gate)、源极(...
- N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
- N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
- 压敏电阻的漏电流与什么因素有关? 压敏电阻的漏电流与其本身的电容量、系统电压、非线性电流通过源阻抗的耦合等因素有关。其中,电容量是指压敏电阻的电容;系统电压是指压敏电阻所处的电压环境;非线性电流通过源阻抗的耦合是指压敏电阻的非线性电流...
- 30V N沟道与P沟道MOS管选型指南:从参数到实际电路设计 如何正确选择30V N沟道与P沟道MOS管?在电源管理、智能控制和便携设备设计中,合理选用30V耐压等级的MOS管是保障系统稳定性和能效的关键。以下从选型标准、电路布局和实际案例出发,提供全面指导。1. 核心选型指标工作电压...
- 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
- 50W无感电阻用途全解析:从工业到科研的多元应用 50W无感电阻的核心功能与多领域应用50W无感电阻作为一种高性能被动元件,因其卓越的功率处理能力和低电感特性,在现代电子系统中扮演着不可或缺的角色。本文深入剖析其主要用途,并结合实际案例说明其技术价值。一、为...
- PR(L)30开关:功能与应用场景概述 在探讨PR(L)30开关时,我们实际上是在讨论一种特定类型的电气设备,它被广泛应用于各种工业和商业环境中。PR(L)30开关可能是某种型号或类别的开关,但由于信息有限,这里只能假设其功能和应用场景。通常来说,这种开...
- 万用表测电阻显示0.L的原因解析 当使用万用表测量电阻时,如果显示屏上出现“0.L”的读数,这通常意味着被测电阻值小于万用表能够准确显示的最小值。具体来说,“0.L”中的“L”代表低(Low)的意思,表示电阻值过低以至于超出了当前量程设置下的分辨率...
- PTTC聚鼎PG38E-L气体放电管参数及应用领域 PTTC聚鼎PG38E-L气体放电管是一种高效能的过电压保护器件,广泛应用于通信设备、工业控制设备、安防系统等领域。该气体放电管以其优越的性能和稳定的特性,在电力系统中起到了关键的保护作用。以下是关于PTTC聚鼎PG38E-L气体...
- TSS管与聚鼎PXXXX L、XPL vs XGL电感性能对比分析 引言TSS管(Thin-Sheet Sensor Tube)作为现代电子设备中常见的信号传输与滤波元件,其性能直接影响系统的稳定性与效率。与此同时,聚鼎科技推出的PXXXX系列电感,包括L型、XPL型与XGL型,在高频应用中表现突出。本文将从材料特性...
- TSS管与聚鼎PXXXX L的应用与比较 在电力电子和电路保护领域,TSS(Transient Voltage Suppression)管是一种非常重要的元件,它能够有效地抑制瞬态电压,保护电路中的其他敏感元件免受损害。聚鼎科技(Protection Devices International Ltd.)作为这一领域的知名制造商,其...
- PCH/L自动压力开关:工业安全与效率的保障 PCH/L自动压力开关是一种精密的设备,用于自动控制和监测系统中的压力变化。这种开关广泛应用于各种工业领域,如制造业、石油化工、电力系统等,以确保系统的安全运行和提高效率。PCH/L自动压力开关的特点在于其高度的灵...
- PTTC聚鼎PG28E-L气体放电管技术参数与应用领域 在现代电子设备中,保护电路免受雷击和电压浪涌的影响至关重要,PTTC聚鼎PG28E-L气体放电管正是为此设计的高效防护元件。这款气体放电管以其卓越的性能和广泛的应用领域,在众多同类产品中脱颖而出。PG28E-L气体放电管具备...
- 从原材料到高性能器件:深入剖析聚丙烯与聚酯薄膜在电子元件中的作用机制 聚丙烯与聚酯薄膜:从材料科学到器件工程的桥梁在薄膜电阻器与超级电容的设计与制造过程中,聚丙烯(PP)和聚酯(PET)薄膜不仅是结构支撑材料,更是决定器件电气性能的关键因素。理解其物理化学特性及其在实际应用中的...