在以下内容中,编辑人员将着重介绍和解释MPS MPQ5073负载开关的相关内容。我希望本文可以帮助您增进对负载开关的了解。
让我们来看看编辑器。 1. MPQ5073负载开关的简要概述MPQ5073是一款出色的负载开关,可以在0.5V至5.5V的电压范围内提供2A负载保护。
MPQ5073负载开关具有低导通电阻,并采用小型封装,可为笔记本电脑,平板电脑或其他便携式设备应用提供节省空间的高效解决方案。 MPQ5073负载开关具有软启动功能,可避免在电路上电时产生浪涌电流。
MPQ5073负载开关还提供可编程的软启动时间,输出放电功能,过流保护(OCP)和过热关断保护功能,为自身的安全使用提供了强大的保护。输出(源)上的最大负载是电流限制。
此限制是通过使用采样FET拓扑来实现的。限流值由ILIM引脚和地之间的外部电阻控制。
功率器件的栅极由内部电荷泵驱动,该电荷泵支持仅50mΩ的极低导通电阻的DMOS功率FET。 MPQ5073负载开关采用节省空间的QFN-12(2mmx2mm)封装。
2. MPQ5073负载开关的详细介绍在了解了MPQ5073负载开关的一般介绍之后,让我们看一下各个方面的详细介绍。 MPQ5073负载开关旨在限制将电路卡插入带电背板电源时的浪涌电流,从而限制背板的电压降和电压对负载的压摆率。
它提供了集成的解决方案来监视输入电压,输出电压和输出电流,从而无需外部电流功率MOSFET和电流检测器件。 (1)使能当输入电压大于欠压锁定阈值(UVLO)(通常为0.5V)时,可以通过将EN引脚拉至高于1.5V来使能MPQ5073负载开关。
下拉到地面将禁用MPQ5073。 (2)电流限制MPQ5073负载开关提供恒定的电流限制,可以通过外部电阻器对其进行编程。
一旦器件达到其电流极限阈值,内部电路就会调整栅极电压,以使功率FET中的电流保持恒定。典型的响应时间约为20µs,在此时间段内输出电流可能会有较小的过冲。
如果电流限制模块开始调节输出电流,则功率MOSFET的功率损耗将导致IC温度升高。如果结温升高到足够高的水平,它将触发热关断。
发生热关断后,它将禁用输出,直到消除过热故障为止。过热阈值为150°C,滞后为30°C。
(3)电源良好功能PG引脚是MOSFET的推挽电路,可以上拉至VCC。当施加输入电压时,MOSFET导通,因此PG引脚被拉至GND。
在VIN和VOUT之间的电压差小于280mV之后,PG引脚经过50µs的延迟后被拉高。当电压间隙高于340mV时,PG引脚将被拉低。
(4)短路保护如果负载电流由于短路而迅速增加,则在控制回路做出响应之前,电流可能会超过电流极限阈值很多。如果电流达到内部次级电流限制水平(大约7A),则激活快速关闭电路以关闭功率FET。
这限制了通过开关的峰值电流,从而限制了输入电压降。总的短路响应时间约为200ns。
如果快速关闭有效,它将使功率FET保持关闭80µs。在这段时间之后,如果组件仍处于短路状态,它将再次打开功率FET。
健康状况。 MPQ5073负载开关会减小电流限制并一直保持到器件过热和热关断为止。
消除短路条件后,电流极限将自动返回到预设值。 (5)输出放电MPQ5073负载开关具有输出放电功能。
当IC被禁用并且负载很轻时,该功能可以通过内部下拉电阻释放Vo。 (6)ILIM电容器的选择先进的内部自动归零比较器带来了高精度电流监控器。
自动归零还会在ILIM引脚上引起一些抖动。为了获得更稳定的ILIM,可以在ILIM与地面之间安装一个小型陶瓷电容器。
建议放置一个小于1nF的ILIM电容器。以上是编辑器这次要与您共享的MPS MPQ5073负载开关的内容。
希望大家对这次分享的内容有一定的了解。如果你想
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: tao@jepsun.com
产品经理: 陆经理
QQ: 2065372476
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- 10个问题让你一次性看懂电阻 1、什么是电阻?与电流、电压一样,电阻是电路的基本参数。电阻在电路中是用得最多的一种元器件。顾名思义,电阻是阻碍电流动的一种元器件,与电流是“死对头”。当我们在导体上施加电压时,电荷会以特定方向流过导体...
- 如何在8V–29V系统中优化选择N沟道与P沟道MOS管? 8V–29V系统中N沟道与P沟道MOS管选型策略指南在设计8V至29V的电源管理系统、电机控制器或智能开关电路时,正确选择N沟道或P沟道MOS管至关重要。以下从多个维度提供实用选型建议,帮助工程师实现最佳性能与成本平衡。1. 明确应...
- 30V N沟道与P沟道MOS管选型指南:从参数到实际电路设计 如何正确选择30V N沟道与P沟道MOS管?在电源管理、智能控制和便携设备设计中,合理选用30V耐压等级的MOS管是保障系统稳定性和能效的关键。以下从选型标准、电路布局和实际案例出发,提供全面指导。1. 核心选型指标工作电压...
- P沟道与N沟道MOS管在8V至29V电压范围内的应用对比分析 P沟道与N沟道MOS管概述在现代电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高输入阻抗、低功耗和快速开关特性而被广泛应用。根据导电类型的不同,MOS管可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)在栅...
- P沟道与N沟道MOS管在31V至99V高压应用中的性能对比分析 引言在现代电力电子系统中,尤其是高压开关电源、工业控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域,31V至99V范围内的MOS管选型至关重要。其中,P沟道与N沟道MOS管因其不同的工作原理和特性,在该电压区间内各有优势与适用...
- P沟道与N沟道MOS管100V参数详解:选型与应用指南 P沟道与N沟道MOS管100V核心参数解析在现代电子系统中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高开关速度、低导通损耗和良好的热稳定性,被广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等场景。其中,100V耐压等级的P沟道...
- 单信道栅极驱动器在P沟道MOS管驱动设计中的应用与优化 单信道栅极驱动器在P沟道MOS管驱动设计中的核心作用在现代电力电子系统中,尤其是电源管理、电机控制和开关电源(SMPS)等应用中,P沟道MOS管因其高侧开关特性被广泛使用。然而,其栅极驱动要求较为特殊,需精确控制栅源...
- N沟道8V至29V MOS管与P沟道MOS管性能对比分析 N沟道8V至29V MOS管与P沟道MOS管核心差异解析在现代电子系统设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)作为关键的开关和放大元件,广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等场景。其中,N沟道与P沟道MOS管因其工作原...
- P沟道MOS管工作原理及应用 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-MOSFET)是一种常用的电子器件,广泛应用于各种电子电路中。其工作原理基于电压控制电流的特性,与N沟道MOS管相比,P沟道MOS管在结构和工作方式上有一些显著的区别。### 工作原理P沟道...
- P沟道MOS管30V参数及应用实例 在电子工程领域中,P沟道MOS管因其独特的电气特性而被广泛应用于各种电路设计中。其中,电压等级达到30V的P沟道MOS管更是因其出色的性能,在高压应用场合中扮演着重要角色。下面将详细介绍这种器件的主要参数及其典型应用...
- P沟道MOS管100V参数及应用领域 在电力电子和模拟电路设计中,P沟道MOS管是一种非常重要的半导体器件,尤其适用于高压环境下的应用。P沟道MOS管100V型号意味着其能够承受的最大电压为100伏特,这使得它在许多需要高电压切换或调节的应用中表现出色。接下...
- 如何在31V至99V系统中正确选择P沟道与N沟道MOS管?技术指南与实战建议 前言:高压系统中的关键元件选择在31V至99V的直流供电系统中,如储能系统、电动工具、医疗设备及智能电网接口装置,正确选择合适的MOS管是确保系统稳定、高效运行的核心。本文将结合实际工程案例,提供一套完整的选型流...
- P沟道MOS管30V与N沟道MOS管30V参数对比及应用解析 P沟道MOS管30V与N沟道MOS管30V核心参数对比在现代电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高效率、低功耗和快速开关特性被广泛应用。其中,30V耐压等级的P沟道与N沟道MOS管是电源管理、电机驱动和负载开...
- 深入解析P沟道MOSFET在电源管理中的关键应用与选型要点 P沟道MOSFET在现代电子系统中的核心地位随着便携式设备、物联网终端和智能电源管理系统的快速发展,功率半导体器件的性能要求日益提高。在众多功率器件中,P沟道MOSFET因其独特的导通特性与开关优势,在电源管理电路中扮演...
- P沟道MOS管电压范围从31V到99V的应用与选择 在电力电子和电源管理领域,P沟道MOS管因其高效能和低损耗特性而被广泛应用。对于需要处理较高电压的应用场景,比如某些直流-直流转换器、电机驱动系统或电池管理系统等,选择合适的P沟道MOS管显得尤为重要。针对您提到...
- 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...
- P沟道MOS管工作电压范围8V到29V的应用与选择 在电子工程领域,特别是在设计高压电源转换器、电机驱动器和逆变器时,正确选择合适的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)至关重要。P沟道MOS管以其高输入阻抗、低导通电阻以及快速开关速度等特性,在低压至中压...
- CFL(M)精密分流器:高精度电流检测的理想选择 CFL(M)精密分流器的技术原理与工程价值在电力电子、新能源、储能系统及智能电网等领域,精确测量大电流是保障系统安全与效率的关键环节。CFL(M)精密分流器以其极低的温度系数、高过载能力和卓越的长期稳定性,成为新...
- 如何在8V~29V系统中正确设计P/N沟道MOS管驱动电路 引言:驱动电路的重要性在8V至29V的电力电子系统中,正确设计MOS管的栅极驱动电路是确保器件稳定、高效运行的关键环节。无论是P沟道还是N沟道器件,若驱动不当,可能导致导通不完全、开关速度慢甚至击穿损坏。核心设计原...
- P沟道MOS管栅极驱动设计中的常见问题与解决方案 P沟道MOS管栅极驱动设计中的典型问题分析尽管P沟道MOS管在高侧开关中具有优势,但在实际应用中常因驱动不当导致性能下降甚至器件损坏。以下是常见的驱动设计问题及其应对策略。1. 栅极电压不足导致导通不充分当栅极电压未...